第640章 碳基芯片 (2/3)

这个指标在三年前全世界没有人能做到公斤级量产。”

“现在能做到。”

他指着报告上的数字，

“凝胶色谱法提纯，六台设备并联，日产量两公斤。

管径偏差控制在零点二纳米以内，带隙零点五到零点七电子伏特，无金属催化剂残留。”

“两公斤够造多少片晶圆？”陈阳问。

“八英寸晶圆，每天两公斤碳管大约支撑四百片。”

何建宏答得很快，“六条产线全开的话日需十二公斤，提纯设备还得扩三倍。

但这只是工程放量的问题，技术上没有瓶颈了。”

陈阳转头看方墨。

方墨点了下头，意思是数据跟伏羲的交叉验证结果一致。

“衬底呢？”

“八英寸高阻单晶硅，表面热氧化二百八十纳米二氧化硅绝缘层。”

何建宏摆手，“这个不值得说，跟普通硅基晶圆一模一样，国内几十家厂能供。”

第四个人没等被点名就开口了。

三十出头，穿着蓝色冲锋衣，看着不像搞科研的。

光刻与图形化工艺负责人，许哲。

“各位最关心的问题——不用euv怎么做七纳米。”

许哲把投影抢过来，切到一张工艺流程图。

“arf浸没式duv，波长一百九十三纳米。单次曝光分辨率极限是三十八纳米。

七纳米怎么做？

四重曝光。

一层图形拆成四次来印。”

“麻烦吗？”

他自问自答，“确实麻烦，光刻步骤比euv多三倍，套刻精度要求正负一点七纳米。

但上海微电子最新的ssa800-10可以做到。”

“成本呢？”

秦风终于放下水杯，问了个商人该问的问题。

许哲咧嘴笑了一下——难得，这间屋子里终于有人问他懂的东西了。

“一台euv光刻机，asml报价二十亿人民币起，交期三年，想买还不一定卖你。

一台ssa800，报价一点二亿，交期四个月，管够。

四重曝光损失的产能用机台数量补回来，综合成本只有euv方案的三分之一。”

“而且——”他竖起食指，“不受任何国家的出口管制。”

会议室里安静了两秒。

这句话的分量不需要任何人解释。

最后一个人始终没站起来，坐在角落里翻着平板。

周政看了他一眼：“老吕，到你了。”