第640章 碳基芯片 (1/3)

坐在周政左手边的一个年轻女研究员开口了。

短头发，说话很快。

碳管阵列生长工艺负责人，林恩恩。

“打个比方。硅基晶体管的电子跑起来像在泥地里走路，碳管里的电子像在冰面上滑。

同样的距离，一个喘得要死，一个根本没出汗。”

方墨在角落里轻声嘀咕了一句：“冰面上打冰壶。”

林恩恩看了他一眼，没理。

“载流子饱和速度四乘十的七次方厘米每秒，硅的四倍。”

周政切到下一页，“更关键的是，碳管的一维超薄体结构天然压制短沟道效应。

硅基芯片缩到三纳米以下，量子隧穿漏电堵都堵不住，得靠gaa环栅、背面供电这些复杂架构去兜。

碳管不用。物理结构本身就是答案。”

“所以我们在七纳米节点，用的是最简单的平面顶栅结构。”

陈阳问：“器件架构说一下。”

周政右手边的人接过话。

瘦高个，四十出头，左手无名指缠着创可贴——大概是调试设备时划的。

器件架构与集成负责人，陈锋。

跟陈阳同姓，但没有亲戚关系。

“无掺杂cs。”

陈锋把投影切到器件截面图，“硅基芯片造p型和n型晶体管，得靠离子注入往硅里面砸掺杂原子。

温度上千度，而且砸进去的原子分布不均匀，直接影响器件一致性。”

“我们不掺杂。p型管用钯做源漏电极，n型管用钪。

金属功函数不一样，电子注入行为不一样，晶体管极性就分开了。”

他翻到下一张图，是一组对比数据。

“免掺杂带来两个好处。第一，没有离子注入造成的晶格损伤，器件寿命延长三倍以上。

第二，阈值电压一致性提升一个数量级。

直接反映在良率上——我们首批试产的良率是百分之九十二点三。”

苏清妍的笔停了一下，抬头看了陈阳一眼。

百分之九十二点三。

台积电三纳米工艺刚量产时的良率不到百分之八十。

陈阳没有表态，示意继续。

第三个人站起来。

矮胖，说话带江浙口音。

碳管提纯与材料负责人，何建宏。

天奈科技并入的技术骨干。

“原料是整条工艺链的命门。”

何建宏打开自己的笔记本电脑，屏幕上是一组纯度检测报告。

“半导体型碳管纯度要求六个九——百分之九十九点九九九九。少一个九，芯片就会出现随机逻辑错误。