第466章 军工设计和失效分析 (3/3)

“5块能用。但全都有延迟。”她指着幻灯片上的示波器波形，“频率比设计值低15%到20%。所有能用的，都慢。”

她指着波形上的某个点。

“测了几天，找到问题。关键路径上有个与非门，驱动能力不够，信号爬升慢。这个门画得太小了。”

她转过身，看着台下。

“这不是工艺的问题，不是材料的问题，是电路设计的问题。我们画版图的时候，光顾着把管子做小、把线画密，忘了问一句：它跑得动吗？”

台下没人说话。

“这是第三课，设计不只是画出来，还要算清楚。每一级延迟，每一根线的电容，都要算。不算就是盲人摸象。”

讲完三个案例，钱兰开始讲那份报告。

身后的幻灯片一页一页过。

失效芯片的坐标图，每一颗的位置、故障类型、严重程度，全都标了出来。

典型故障的显微照片，短路的、击穿的，一张一张放给大家看。

击穿点的版图对照，精确到微米。

延迟测试的波形图，每一张都有详细的标注。

最后是那张设计问题清单。

电源线与地线间距过小。

晶体管尺寸偏小。

长走线缺乏缓冲器。

“这是改版的方向。”钱兰说，“改完以后，面积大了18%，晶体管多了272个。但下一轮流片，良率至少能到30%。”

她看着台下。

“这份报告，是我们一个月的心血。但它不只是给我们看的，是给以后所有人看的。以后再有人做芯片，第一次流片失败，可以翻翻这份报告，看看我们是怎么踩的坑。”

台下安静了几秒。

然后有人鼓掌。

是柳工，他站起来，走到前面。

“我看了这份报告。写得很好。问题找得准，分析得透。但我要说的是，工艺这边，也有问题。”

他从兜里掏出一张纸，是一份氧化工艺的参数记录。

“氧化层致密性不够。我们测过，针孔密度偏高。如果氧化层没长好，电压一来，该绝缘的地方就不绝缘了。这个问题，不是你们设计能解决的，是我们的活儿没干到位。”

他把纸放下：“还有掺杂。扩散炉里，不同位置的片子，掺杂浓度不一样。前端的浓，后端的淡。这个波动，也会导致芯片性能不一致。”

他看着台下：“所以今天我来，不只是来听课的。我是来告诉你们，工艺这边，也在改。氧化工艺要调，掺杂工艺也要调。下一轮流片，我们会拿出更稳的片子。”

他走回座位，坐下。

掌声又响起来，比刚才更响。

掌声刚落，靠墙那排有人举手。

是惊雷项目组的，一个三十来岁、穿便装的军人。

他站起来，看着钱兰：“我问个问题。你们这次失败，72%短路、48%击穿、延迟全覆盖，按说，这是技术灾难。但你们现在坐在这里，给我们讲这堂课，是什么意思？”

他顿了顿：“我的意思是，如果这是战场，一颗炮弹打出去，没响。你们会怎么办？写一份报告，告诉大家为什么没响？”

会议室里安静了。

钱兰沉默了几秒：“我们会的。我们会写报告，告诉大家为什么没响。然后，我们会改。改设计，改工艺，改一切能改的地方。再打一发。如果还没响，再写报告，再改。一直改到它响为止。”

她看着那个军人：“这是我们的活法。你们的活法是一发炮弹打出去，必须响。我们的活法是让它能响。”

那个军人沉默了几秒，然后点点头。

钱兰讲完，走回座位。

台下安静了几秒。

然后有人鼓掌。是6305厂工艺科的人，是惊雷项目组的军人，是集成电路实验室的设计人员。

掌声持续了很久。